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美光做的不僅是設計及生產 NAND 快閃記憶體，我們不斷創新，透過改善 NAND 產品的工程設計以解決設計面的挑戰，涵蓋從行動裝置、嵌入式系統到資料中心儲存應用程式的所有領域。
每個單元一個位元；高效能和寫入耐用性；專為高階、高密度、任務關鍵型系統設計，這些系統要求 NAND 高效能標準和可靠性，而降低成本並非主要驅動因素。
多層式儲存晶片（MLC）NAND 快閃記憶體的每個單元有兩個位元，在效能和寫入耐久度之間取得良好平衡，適用於各種成本敏感的高密度應用。
美光三層單元 (TLC) NAND 快閃記憶體為個人電腦、資料中心、行動裝置、汽車以及 AI 雲端等各種儲存裝置提供高效能。美光 TLC NAND 具有業界領先的效能和容量，是尖端儲存裝置的先進構件。
相較於 SLC、MLC 和 TLC NAND 快閃記憶體，美光四層單元 (QLC) NAND 提供更大的容量。憑藉高達 2Tb 的 QLC NAND 晶粒，美光 QLC NAND 提供市場領先的容量及同類最佳的效能，實現比以往更大的儲存容量及設計靈活性。
美光提供全系 NAND 產品，以滿足各種解決方案的儲存需求。
Micron NAND 計算器工具可估算每個主機通道的 NAND 電流/功耗和系統總 NAND 功耗。
查看清單，瞭解有哪些與 NAND 相關的技術說明主題可供參考
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