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AP9561GH-HF
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STTH2R06A
ST(意法半导体)
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类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 5A 2个N沟道 SOP-8
库存：105048
批次 : 24+
最小包 : 4000
起订量 : 1
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1+￥0.2844
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已优惠 0.04 元库存：73845
批次 : 24+
最小包 : 1000
起订量 : 1
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1+￥0.6543
1000+￥0.603
10000+
量大可议价
合计：￥0.65
已优惠 0.08 元库存：6669
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
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1+￥0.4392
3000+￥0.4113
30000+
量大可议价
合计：￥0.44
已优惠 0.05 元类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,5A
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存：2863
批次 : 21+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
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1+￥0.2955
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晶体管类型：PNP
集电极电流(Ic)：3A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率(Pd)：3W
描述：三极管(BJT) 3W 30V 3A PNP SOT-89-3
库存：2673
批次 : 5年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
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10000+
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合计：￥0.21
已优惠 0.02 元类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：52mΩ@10V,8A
描述：场效应管(MOSFET) 25W 40V 17A 1个P沟道 TO-252-2
库存：2253
批次 : 21+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
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1+￥0.349
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30000+
量大可议价
合计：￥0.35
已优惠 0.35 元类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：13.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,12A
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13.3A 1个P沟道 SO-8
库存：2067
批次 : 20+
最小包 : 3000
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1+￥0.4645
3000+￥0.44
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合计：￥0.46
已优惠 0.47 元描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存：1933
批次 : 21+
最小包 : 3000
起订量 : 1
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1+￥0.53
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30000+
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合计：￥0.53
已优惠 0.53 元制造商：Pulse Electronics Power
系列：EP13Plus
包装：卷带（TR）
零件状态：Digi-Key 停产
描述：TRANSFORMER FORWARD 128UH SMD
库存：261
批次 : 24+
最小包 : 130
起订量 : 1
增量 : 1
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1+￥7.092
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