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JAVA实现分页功能详解

4星 · 超过85%的资源 | 下载需积分: 9 | 103KB | 更新于2024-09-13 | 34 浏览量 | 19 下载量 举报 1 收藏
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"JAVA分页大全 - 通过Struts实现分页功能" 在Java开发中,分页是常见的功能,特别是在处理大数据集时,为了提高用户体验和加载速度,通常需要将数据分批次展示。本资源主要介绍了如何使用Struts框架来实现一个简单的分页功能。 1. 分页思路 分页功能的实现通常包括一个页面控制类,用于存储和管理与分页相关的参数,如当前页、每页显示数量、总页数等。在实际操作中,这个页面控制类(如PageController)会与用户的查询条件一起传递给数据库访问层(bean)。查询完成后,这些参数会被保存在用户的Session中。当用户点击分页链接时,分页控制Action会从Session中获取这些参数,再次调用数据库访问bean来获取对应页的数据。 2. 实现分页(步骤1) 提供的代码示例展示了PageController类的实现。这个类包含了一些关键属性: - `totalRowsAmount`:表示总记录数。 - `pageSize`:每页显示的记录数,默认为2。 - `currentPage`:当前页码,初始值为1。 - `nextPage` 和 `previousPage`:分别表示下一页和上一页的页码。 - `totalPages`:总页数。 - `hasNext` 和 `hasPrevious`:判断是否有下一页和上一页。 - `description`:分页描述。 - `pageStartRow` 和 `pageEndRow`:当前页的起始行号和结束行号。 PageController类提供了设置和获取这些属性的方法,例如`setTotalRowsAmount()`用于设置总记录数,`setCurrentPage()`用于设置当前页。在设置总记录数后,可以根据这个值计算出总页数。 3. 使用示例 在Struts框架中,Action类通常负责接收用户请求,处理业务逻辑,并调用DAO(数据访问对象)来执行数据库查询。在分页场景下,Action类会使用PageController对象,将其与查询条件一起传递给DAO。DAO执行查询后,将结果集和PageController对象返回给Action,Action再将PageController保存到Session中。 4. 分页Action处理 在分页Action中,用户点击分页链接时,会触发相应的Action方法。这个方法会从Session中取出PageController,根据用户选择的新页码更新PageController的状态,然后再次调用DAO来获取新的数据页。最后,Action将更新后的PageController和新的数据返回给视图层进行渲染。 5. 页面渲染 视图层(通常是JSP)会根据PageController中的信息来展示分页链接和当前页面的数据。例如,可以显示“上一页”、“下一页”链接,以及当前页码和总页数等。 总结起来,这个"JAVA分页大全"提供了使用Struts框架实现分页功能的一个基础示例。通过页面控制类PageController管理和传递分页参数,配合Action和DAO,实现了在Web应用中动态加载和切换数据页的能力。这种设计模式适用于大多数Java Web项目,可以根据具体需求进行扩展和优化。

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资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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