短命戒嚴 韓流轉單

文．張興華

南韓政局動盪影響擴大，AI伺服器標配HBM可能轉單美光，相關台廠供應鏈及貨櫃三雄可望間接受惠。

南韓總統尹錫悅12月3日深夜無預警宣布緊急戒嚴，但國會隨即於4日凌晨以190票全數通過解除戒嚴，結束為期6小時的短命戒嚴。雖然這個短命戒嚴已告結束，不過仍引發南韓國內政經及社會動盪的後續效應正持續發酵，包括政治對立、社團集合大罷工、外資連三日撤離1.085兆韓元(約合新台幣246億元)、韓元持續走貶，整體經濟成長率更被下修至1.9%。

韓廠受衝擊 美光供應鏈受惠

備受市場關注的南韓海力士(SK Hynix)與三星的高頻寬記憶體(HBM)首當其衝，其市占率分別為53%及38%，全球排名一、二位，AI伺服器在數據中心(SSD)擴大需求下，已呈現供不應求的局面，同時HBM已成為AI伺服器的標配，面對南韓突如其來的短命戒嚴，市場基於風險考量正醞釀進行轉單，而HBM世界排名第三大的記憶體大廠美光(Micron)，市占率僅約9%，在這波轉單效應中，被視為可直接受惠，連帶美光的台股供應鏈，包括南亞科(2408)、華邦電(2344)、旺宏(2337)、威剛(3260)，可望間接受惠。

此外，弘塑(3131)為美光HBM濕製程設備主要夥伴，還有台勝科(3532)的矽晶圓供應、創意(3443)的IP設計，以及漢唐(2404)的無塵室設備供應等，在這波韓流轉單效應中也都可以沾光。

根據國內券商法人研究機構主管表示，輝達(NVDA)執行長黃仁勳曾公開指出，「買愈多就省愈多」，所指的就是HBM，而HBM就是將DRAM堆疊而成，DRAM的性能愈好、功耗愈低，愈能符合大型資料運算中心的需求，HBM的堆疊技術應用，也由8層堆疊進階至目前的HBM3E 12層，或HBM4E的16層。

以當前海力士的HBM產品為例，在DRAM堆疊12層的每腳位傳輸速率，先需透過TSV(矽穿孔)的先進精密技術來達成，且孔洞間距離必須要小還要精準。因此，未來DRAM廠的發展關鍵，關乎HBM的良率有多高。

該名主管指出，一般外界對HBM的製程，僅看到DRAM的堆疊與TSV技術的運用，但技術含量高及廣的HBM產品應用，最終還是要與GPU結合，這部分就需要透過先進封裝的技術如CoWoS，將8層或12層DRAM堆疊的HBM3E再與GPU封裝成一塊模組。因此，HBM最終還是要與先進封裝結合一起。

就美光的HBM產品製程而言，台股的供應鏈角色，南亞科與華邦電都是記憶體晶粒的供應商，旺宏是快閃記憶體供應商，威剛則是記憶體模組通路商。

台積電CoWoS扮演最重要關鍵

最終的封裝部分，以美光與台積電(2330)之間的緊密合作關係，在美光HBM先行封裝完成後，最終與GPU封合時，一定還是要透過台積電的CoWoS進行整合，所以在韓國三星與海力士HBM後續的轉單效應下，不會沒有台積電的角色，且台積電的CoWoS將扮演最重要的關鍵。

圖片來源：Pixabay

※精彩全文，詳見《理財周刊》1268期，2024.12.13出刊。

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