美光進逼SK海力士！1 Gamma製程今年量產 HBM4、HBM4e明年上路

美商記憶體大廠美光展現擴大DRAM市占的決心。美光前段製造企業副總裁暨台灣美光董事長盧東暉今日在年終記者會受訪時表示，美光計畫今年在台灣台中廠啟動最先進1 gamma製程量產，同時也照既定時程，明年推出下世代HBM4及HBM4e高頻寬記憶體。市場解讀將此行動，將為當今HBM龍頭南韓SK海力士，帶來極大的競爭壓力。

雖然盧東暉未透露目前HBM3e主力顆粒採用美光1 Beta主力製程，未來導入量產的1 gamma是為推出HBM4及HBM4e準備，但美光執行長Sanjay Mehrotra在稍早的財報電話會議，強調美光HBM產品出貨量超出預期、營收季增幅度高於100%，美光整體營收大約有13%出自資料中心最大客戶。且第1季資料中心營收年增400%、季增40%，創歷史新高，HBM營收占整體銷售金額占比首度突破50%。

Mehrotra並強調美光2025年HBM產能已銷售一空、價格也已敲定，HBM4將在2026年量產。他並提到公司預估2028年整體HBM市場規模，將比2024年的160億美元成長四倍，2030年將進一步突破1000億美元。

美光並展現旺盛企圖心，Mehrotra透露美光在今年獲得第三家客戶採用美光HBM產品，預估今年內HBM全球市占率和非現有的DRAM都達到25%市占目標。

台灣是目前美光全球DRAM卓越製造及後段封測重心，為配合持續擴大市占及維持市場領先地位，盧東暉表示，美光已將桃園、台中、和向友達買進的南科廠，視為同一廠區，透過智慧製造系統，進行設備和工廠改裝、調整製程組合，提升產量及生產效率。

他表示，美光已在台投資高達1.1兆元，在北中南布建產線，包括2020年興建台中晶圓廠且HBM2E量產，2021年台中A3廠完工，開始導入1 alpha的生產，2022年也在台中設立第一個採用EUV設備的生產基地，生產1 Beta製程DRAM；2023年興建台中四廠即先進封測廠（AATT），並導入HBM3e量產；去2024年收購友達南科廠，目前正進行增設無塵室等工程，預定今年上半年使用，預定先作為前段晶圓測試（CP） 。

台灣美光為因應產能擴充，也持續招募人才，除培植在地供應鏈及人才外，也與逢甲大學合作訓練非工程和半導體領域人才，並引進國際人才，去年12月首度前往韓國招募應屆畢業生來台工作。

盧東暉指出，美光為美國企業，公司的文化對韓國人才具有很大吸引力，開出100多個職缺，涵蓋前段和後段領域，徵才主要鎖定應屆畢業生，工作地點在桃園和台中。