Instituto Superior Politécnico de Songo
IGBT e SIT
Licenciatura em Engenharia Eléctrica
Electrónica de Potência
1º Grupo
Discentes: Docente: ELIE,
Sengiyunva Eng.º Anacleto Albino
GUIRRENGANE, Manuel da Graça
LOBO, Faustino Carlos
MAPOSSA, Jorge B.
Songo, Abril de 2018
Introdução
No mundo moderno, a electrónica está presente em todos os
sectores de actividade, No presente trabalho ira se abordar sobre
os transístores bipolar de porta isolada e transístores de indução
estática
IGBT é uma invenção recente. Os transístores bipolares de porta
isolada (insulated-gate bipolar transistor - IGBT) são dispositivos
semicondutores modernos que associam as vantagens dos
transístores de junção bipolar (BJT) e as do transístor de efeito de
campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET).
Os SITs são Transístores de indução estática que podem ser
bipolar ou unipolar.
Assim eles não esta sujeito a limitações de área e é adequado
para operações de potência elevada em alta velocidade.
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Objectivos
Objectivo Geral
Em geral, o presente trabalho foi elaborado com o objectivo de
Fazer um apontamento que trate de forma sucinta o IGBT e o SIT
Objectivo Especifico
Conhecer o IGBT e o SIT , saber diferencia-lo de outros
transístores de potência;
Conhecer os parâmetros do IGBT;
Conhecer características construtivas e físicas;
Conhecer os seus símbolos;
Conhecer o modo e parâmetros de operação;
Conhecer onde são aplicados
Conhecer suas vantagens e desvantagens.
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Transístor Bipolar de Porta Isolada IGBT
Transístor bipolar de porta isolada (insulated gate bipolar transístor - IGBT)
mescla as características de baixa queda de tensão no estado ligado
do BJT com as excelentes características de chaveamento, um
circuito de acionamento da porta simples e a alta impedância de
entrada do MOSFET.
a) Símbolo do IGBT;
b) equivalente MOSFET-BJT
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Características construtivas do IGBT
Um IGBT é feito de 4 camadas PNPN. Basicamente é constituído
por:
Placas metálicas (ânodo, cátodo e porta);Camada isolante de
óxido de silício (SiO2); Substratos de electrões e de lacunas.
Figura: (Corte transversal do IGBT)
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Características de funcionamento do IGBT
MOSFETs: reúne a facilidade de acionamento
e sua elevada impedância de entrada com as
BJT: pequenas perdas em condução (alto
Ganho)
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Princípio de operação do IGBT
Para
coloca – lo no estado ligado, basta polarizar positivamente
o terminal colector (C) em relação ao terminal emissor (E).
Aplicando uma tensão positiva ( ),
Para o estado desligado no momento em que houver anulação
do sinal de tensão de terminal de porta.
Figura 3: Transistor IGBT (TO-247AC)
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Curva característica de tensão – corrente
do IGBT
Estado desligado: ) = 0 , .
Estado ligado: Se a tensão ).
Figura: Curva característica
de tensão –corrente do IGBT
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Curva característica ideal do IGBT
estado ligado: não apresentam tensão, enquanto a corrente e
determinada por .
estado desligado, pode bloquear qualquer tensão
positiva ou negativa.
Figura : curva caracteristica ideal
Parâmetros dos IGBT´s
• Corrente do colector (
• Tensão de bloqueio entre colector e emissor (𝑩𝑽𝑪𝑬𝑺)
• Tensão entre a porta e o emissor ()
• Potencia máxima dissipada ()
• Tensão de saturação entre colector e emissor (
• Tempo de atraso de ligação ()
• Tempo de atraso de desligamento ()
Perdas no IGBT
A perda de energia no IGBT durante o
tempo de ligação e dada por:
A potência media dissipada em
virtude do tempo de ligação é:
Aplicações do IGBT
• Uma das grandes aplicações dos IGBTs é que são
usados como componentes de chaveamento
• equipamentos modernos como carros
elétricos ou híbridos, trens, aparelhos de ar
condicionado e fontes chaveadas e alta potência
• comutação de carga de alta corrente em regime de alta
velocidade;
• utilizado como uma chave, alternando os estados de
condução (On-state) e corte (Off-state) os quais são
controlados pela tensão de porta, assim como em um
MOSFET;
• Construção de filtros activos de potência.
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Vantagens e Desvantagens
• Capacidade de condução de • São mais lentos que os
correntes; MOSFETs;
• Simplicidade de seu circuito de • Requer cuidados especiais
comando; para casar as suas
• São rápidas que os BJTs; características devido as
• Operam em altas frequências; variações do coeficiente de
• Tem baixas perdas na condução; temperatura com a corrente
• Não provoca ruido durante a sua no colector ;
operação; • São relativamente mas caros
• Possuem tamanho reduzido. que os MOSFETs.
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Transístor de Indução Estática (SIT)
S I T (do inglês Static Induction Transístor) é um
dispositivo de estrutura vertical com multicanais
curtos. Assim ele não esta sujeito a limitações de área
e é adequado para operações de potências elevadas
em alta velocidade.
Um SIT é idêntico a um JFET, excepto pelo facto
de que a construção da porta é vertical e
introduzida nas camadas do dreno e da fonte, o
que dá uma resistência de canal mais baixa,
causando menor queda de tensão.
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Transístor de Indução Estática (SIT)
Estrutura e Símbolo
a) Corte Transversal b) Símbolo
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Transístor de Indução Estática (SIT)
Características
Cumprimento do canal é curto;
Baixa resistência em serie da porta;
Baixo ruido;
Tempos de disparo e de desligamento são muito
pequenos, na ordem dos 0,25.
O seu estado normal é ligado (em condução).
Alta velocidade de chaveamento, na ordem de
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100Khz;
Transístor de Indução Estática (SIT)
Aplicação
Conversões genéricas de potência (tensões de
1200V e 300A);
Amplificadores de áudio;
VHF/UHF;
Microondas
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Conclusão
Comparando os dois dispositivos (SIT & IGBT) vemos
que o SIT vem para responder a situação que já não é
adequada aplicar-se o IGBT pelos seus baixos valores de
frequência de chaveamento. (100kHz e 20kHz
respectivamente).
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Instituto Superior Politécnico de Songo
Obrigado pela Atenção
1º Grupo
Songo, Abril de 2018
