Examen de Junio de Física Cuántica III 5 de Junio de 2017

Parte II
Los que tienen sólo la Parte II: ejercicios 1 y 2 (1:50 horas)
Los que tienen 2 o 3 partes: ejercicio 1 (1:20 horas)

1) (1 extra point + 3 + 2 = 6 puntos) Considerar los electrones de un cristal 1D como si fueran cuasi-
libres bajo un débil potencial cristalino de la forma V(x) = V0[cos4(πx/a) - 3/8]. (a) Encontrar los
armónicos de dicho potencial y dar sus amplitudes. (b) Obtener paso a paso una expresión
general del levantamiento de la degeneración producido por el potencial cristalino en un estado
k genérico con degeneración en la aproximación de red vacía. Explicitar cualquier aproximación
empleada. Usar el esquema de zona periódica. (c) Dibujar las 3 primeras bandas en el esquema
de zona reducida en unidades de ħ2π2/2ma2, tomando V0 = 0.1 en estas unidades y dando los
vectores de ondas en unidades de 1/a. Nota: cos2x = ½ (1 + cos(2x)).

Nota importante: el enunciado dado en el examen contenía una errata en la expresión del
potencial, ya que se daba V(x) = V0[cos4(πx/a - 3/8)] cuando debía ser V(x) = V0[cos4(πx/a) - 3/8].
Esto afecta (un poco) al desarrollo en ondas planas del apartado (a) y a los valores numéricos de los
gaps del apartado (c), pero no afecta nada al apartado (b). En vista de ello he optado por una
corrección muy favorable: este ejercicio lo puntuo sobre 6 puntos, en lugar de valer 5, de forma
que el apartado (a) pasa a ser un punto extra para el que haya hecho lo que podía hacer (que se
muestra más abajo junto a la solución sin la errata).

(a) Reescribimos el potencial dado como un desarrollo en ondas planas. Para ello, ponemos cos4x
en forma de cosenos
cos4x = ¼ (1 + cos(2x))2 = ¼ (1 + cos2(2x) + 2cos(2x)) = ¼ (1 + ½ (1 + cos(4x))+ 2cos(2x)) =
= ¼ + 1/8 + (1/8)cos(4x) + ½ cos(2x) = 3/8 + (1/8)cos(4x) + ½ cos(2x)
Usamos la fórmula de Euler para pasar el coseno a exponenciales complejas (ondas planas)
cos x = ½ (eix + e-ix)
Usando el potencial con la errata quedaría
V(x) = V0[cos4(πx/a - 3/8)] = V0[3/8 + ½ cos(2πx/a – 3/4) + (1/8)cos(4πx/a – 3/2)] =
= V0[3/8 + ¼ e-i3/4ei2πx/a + ¼ ei3/4e-i2πx/a + 1/16 e-i3/2ei4πx/a + 1/16 ei3/2e-i4πx/a]
5 armónicos (ondas planas) con k = ±g1 = ±2π/a, ±g2 = ±4π/a y amplitudes
Vg0 = 3V0/8 V±g1 = e±i3/4V0/4 V±g2 = e±i3/2V0/16
y Vg0 se puede tomar como 0 (corrimiento del origen de energías).
Usando el potencial correcto queda
V(x) = V0[cos4(πx/a) - 3/8] = V0[½ cos(2πx/a) + (1/8)cos(4πx/a)] =
= V0(¼ ei2πx/a + ¼ e-i2πx/a + 1/16 ei4πx/a + 1/16 e-i4πx/a)
4 armónicos (ondas planas) con k = ±g1 = ±2π/a, ±g2 = ±4π/a y amplitudes
V±g1 = V0/4 V±g2 = V0/16

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(b) Aproximación de red vacía: electrones libres en el cristal ε
periódico. Usamos el esquema de zona de Brillouin: todas las
parábolas trasladadas a la primera zona de Brillouin. gb k-gb g
a
Hay estados degenerados en los límites de zona y en el centro de k-ga
la zona, siempre con degeneración 2.
Consideremos cualquier estado k de degeneración 2 donde se
cortan las ramas trasladadas por dos vectores de la red recíproca
que vamos a llamar ga y gb.
Aplicamos un modelo de electrones cuasilibres con la k k
aproximación de considerar en el desarrollo de la función de onda -π/a π/a
del electrón sólo esas 2 ramas, es decir, sólo permitimos la mezcla
de las ondas planas k - ga y k – gb, con amplitudes de mezcla ck-ga y ck-gb.
Ecuación básica
[ε0(k-g) - ε]ck-g + ∑g’ Vg’ ck-g-g’ = 0
Análisis del término ∑g’ Vg’ ck-g-g’
g = ga: ck-ga-g’ = ck-ga, ck-gb ⇒ g’ = 0, -ga+gb ⇒ ∑g’ Vg’ck-g-g’ = V0ck-ga + Vgb-gack-gb
g = gb: ck-gb-g’ = ck-ga, ck-gb ⇒ g’ = ga-gb, 0 ⇒ ∑g’ Vg’ ck-g-g’ = Vga-gbck-ga + V0ck-gb
2 ecuaciones homogéneas acopladas (V0 ≡ 0)
g = ga [ε0(k-ga)-ε]ck-ga + Vgb-gack-gb = 0
g = gb [ε0(k-gb)-ε]ck-gb + Vga-gbck-ga = 0
Solución no trivial sólo si el determinante es no nulo
ε0(k-ga)-ε Vgb-ga
=0
V-(gb-ga) ε (k-gb)-ε
0

Como ε0(k-ga) = ε0(k+gb) y V-(gb-ga) = Vgb-ga*

[ε0(k-ga) – ε]2 - |Vgb-ga|2 = 0
ε± = ε0(k-ga)  |Vgb-ga|
Gap debido a interferencia entre ondas k-ga y k-gb
ε (ħ2π2/2ma2)
(c) Estados k = π/a rama n = 1: consideramos sólo las ondas k, k
– g1 con k = π/a. Interferencia entre onda k = π/a y reflejada -π/a
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ε± = ε0(k)  |Vg1| = ε0(g1/2) ± |Vg1| = ħ2(π/a)2/2m ± V0/4 =
= 1 ± 0.025 en unidades de (ħ2π2/2ma2)
Estados k = 0 rama n = 2: consideramos sólo las ondas k-g1, k+g1, 6
con k = 0. Interferencia entre k = 2π/a y reflejada -2π/a
4
ε± = ε0(-g1)  |V2g1| = ε0(g2/2) ± |Vg2| = ħ2(2π/a)2/2m ± V0/4 =
= 4 ± 0.006 unidades de (ħ2π2/2ma2)
2
Estados k = π/a rama n = 3: consideramos sólo las ondas k + g1, k
- g2 con k = π/a. Interferencia entre k = 3π/a y reflejada -3π/a
ε± = ε0(k+g1)  |Vg2+g1| = ε0(g3/2) ± |Vg3| = ħ2(3π/2a)2/2m = −π π
k (1/a)
= 9 unidades de (ħ2π2/2ma2)

2) (1 + 1 + 1 + 2 = 5 puntos) Considerar el modelo de Drude para estudiar un metal alcalino sobre

el que se incide con radiación electromagnética de frecuencia ω. (a) Indicar las condiciones de
validez de la expresión de la constante dieléctrica compleja εr(ω) = 1 + iσ(ω)/ωε0. (b) Usando la
expresión de la conductividad compleja σ(ω) = σ0/(1 – iωτ), obtener la expresión εr(ω) = 1 +

2
 iσ(ω)/ωε0 ≈ 1 - ωp2/ω2. Razonar en qué rango de radiación es válida esta expresión. (c) Para el
caso del litio (densidad 0.534 g/cm3), calcular la frecuencia de plasma y la energía
correspondiente. Indicar el tipo de radiación que hay que usar. (d) Mostrar que hay un rango de
frecuencias en que el metal es transparente a la radiación y un rango en el que la radiación es
reflejada por la superficie. Pista: k(ω) = N(ω)ω/c, con N(ω) el índice de refracción complejo.

(a) La expresión se dedujo suponiendo válida una aproximación local para la corriente, es decir,
tomando j(r,ω) ≈ σ(ω)E(r,ω), todo en el mismo punto r. Esto sólo es adecuado si λ >> ℓ ∼ 102 Å, por
tanto, es válido para luz IR (λ ~ 105 Å, ν ~ 1013 Hz), visible (λ ~ 5000 Å, ν ~ 1014 Hz) y UV (λ ~ 103 Å, ν ~
1015 Hz), pero no para rayos X (λ ~ 1 Å, , ν ~ 1018 Hz), donde habría que considerar una relación no
local.

(b) Consideremos que la radiación tiene frecuencia ω >> 1/τ, es decir, ωτ >> 1. Como τ ~ 10-14 s,
quiere decir que la radiación incidente debe tener una frecuencia mucho mayor que 10-14 Hz, pero
inferior a 1018 Hz de rayos X para que valga la aproximación local de la corriente, de forma que debe
ser ω ~ 1016 s-1 (energía ω ~ 4-10 eV), es decir, usamos luz V-UV. Entonces, podemos aproximar
σ(ω) = σ0/(1 – iωτ) ≈ -σ0/iωτ
εr(ω) = 1 + iσ(ω)/ωε0 ≈ 1 - σ0/ε0τω2 = 1 - ωp2/ω2
donde ωp es la frecuencia de plasma del metal
ωp2 = σ0/ε0τ = ne2/mε0

(c) Li: densidad de masa y concentración electrónica

d = m/V = MNat/V = M(N/vat)/V = (N/V)M/vat = nM/vat
n = dvat/M = (0.534 103 kg/m3)(1)/(6.94 uma)(1.66 10-27 kg/uma) = 4.63 1028 m-3
Frecuencia y energía de plasma
ωp = [ne2/mε0]½ = [(4.63 1028)(1.6×10-19)2/(9.1×10-31)(8.8 10-12)]½ = 1.2 1016 Hz
ωp = (6.5 10-16 eV s)(1.2 1016 s-1) = 7.8 eV
Para estudiar esta ωp necesitamos radiación UV próximo. En este rango ya sabemos que ωτ ~ ωpτ ~
>> 1 y podemos usar la expresión aproximada εr ≈ 1 - (ωp2/ω2) donde la constante dieléctrica es real

(d) Si la radiación tiene frecuencia ω < ωp, entonces

εr = 1 - (ωp2/ω2) < 0
N(ω) = √εr(ω) = in2
k(ω) = N(ω)ω/c = [εr(ω)]½ω/c = in2ω/c
y el campo eléctrico de la radiación queda
E(ω) = E0 ei(k(ω)r - ωt) = E0 e-n2ωr/ce-iωt
que decae exponencialmente con la distancia r,
de forma que se produce una gran absorción y
una alta reflectividad. A estas bajas frecuencias
los electrones se pueden excitar y desexcitar al
ritmo del campo E(ω).
Por contra, si la radiación tiene frecuencia ω > ωp,
entonces
εr = 1 - (ωp2/ω2) > 0 ⇒ N(ω) = √εr(ω) = n1
⇒ k(ω) = n1ω/c ⇒ E(ω) = E0 ein1ωr/ce-iωt
es decir, el campo E de la radiación tiene una

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conducta oscilatoria y se propaga en el metal, de forma que este resulta transparente para la
radiación. Los electrones no pueden seguir las alternancias de E y la onda se propaga con velocidad
v = 1/(με)½.