【半导体器件】40V N-通道功率SpeedFET ZMSA016N04HNC产品特性与应用：低导通电阻及快速开关设计

内容概要：本文档详细介绍了ZMJ SEMICONDUCTORS CO., LTD生产的40V N-通道功率SpeedFET（型号ZMSA016N04HNC）。该器件采用先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，具有极低的导通电阻（RDS(ON)=1.6mΩ），并符合AEC-Q101标准。主要特点包括低导通损耗、快速开关性能和低热阻。其典型应用包括无刷直流电机驱动器、DC-DC转换器和电池保护电路。文档还提供了详细的电气特性参数，如击穿电压、阈值电压、漏电流等，以及动态特性参数，如输入电容、输出电容、总栅极电荷等。此外，文档给出了最大额定值、热阻特性、封装尺寸及订购信息。 适合人群：从事电力电子设计的工程师和技术人员，特别是对功率MOSFET有需求的研发人员。 使用场景及目标：①用于无刷直流电机驱动器、DC-DC转换器和电池保护电路的设计；②帮助工程师理解该器件的电气特性和动态性能，优化电路设计；③为批量采购提供详细的订购信息和支持数据。 其他说明：文档强调了产品的安全使用注意事项，包括温度范围、最大电流限制等，并指出产品不适用于生命支持设备。同时，文档声明了版权和免责声明，确保用户了解产品的适用范围和责任限制。

【半导体器件】40V N沟道功率SpeedFET技术特性与应用：低导通电阻及快速开关性能优化设计

内容概要：本文档详细介绍了ZMJ半导体公司生产的ZMSA012N04HNC型40V N沟道功率SpeedFET的技术规格与应用领域。该产品结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的导通电阻（RDS(ON)=1.2mΩ），并具有低栅极电荷、快速开关性能和低热阻等特点。其主要应用于无刷直流电机驱动、DC-DC转换器以及电池保护电路中。文档还提供了详细的电气特性参数，如最大额定值、热阻特性、动态特性等，并附有典型性能曲线图，帮助用户更好地理解和使用该器件。此外，文档列出了订购信息，包括包装方式、基本订购单位等。; 适合人群：电子工程师、电源设计师及相关领域的技术人员。; 使用场景及目标：①用于无刷直流电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用场景；②帮助用户理解产品的电气特性、热特性和动态特性，从而优化电路设计；③为用户提供详细的订购信息，便于采购。; 其他说明：文档强调了产品的安全使用注意事项，指出该产品不适用于涉及人类生命安全的关键设备，如医疗仪器或航空航天机械等。同时提醒用户在使用过程中需自行承担风险，并建议在投诉时提供批次号以便追踪。

【半导体器件】40V N沟道功率SpeedFET技术参数与应用：低导通电阻高效能场效应晶体管设计

内容概要：本文档详细介绍了ZMJ SEMICONDUCTORS CO., LTD生产的ZMSA010N04HNC型40V N沟道功率SpeedFET的技术规格与应用领域。该器件结合了先进的沟槽MOSFET技术和低阻抗封装，实现了极低的导通电阻（RDS(ON) = 1mΩ），并具有低栅极电荷、快速开关速度以及低热阻等特性。其最大漏源电压为40V，连续漏极电流最高可达220A（25℃条件下）。此外，器件符合AEC-Q101标准，适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用场景。文档还提供了详细的电气特性、动态特性参数表，以及热阻、封装尺寸等信息。; 适合人群：电力电子工程师、嵌入式系统开发者及相关领域的技术人员。; 使用场景及目标：①用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和电池保护电路的设计；②评估和选择适用于高电流、低损耗应用的功率MOSFET；③进行电源管理模块的设计与优化。; 其他说明：文档包含绝对最大额定值、电气特性曲线、封装外形图等技术细节，并附有免责声明，指出产品不适用于涉及人类生命安全的关键设备如医疗仪器或航空航天机械。同时提醒用户注意版本更新及 Lot Number 跟踪信息。

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