WFDN7501100-P30-2.pdf

WFDN7501100-P30-2是一款工作在75到110GHz频段的功率放大器芯片，其具备一系列显著的技术特点和应用领域。该芯片采用先进的0.10微米栅长氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺制造，确保了高性能的放大能力。 芯片的主要技术指标包括：在15伏特的漏极电压下，典型的小信号增益达到15dB，典型输出功率为29dBm，附加效率大约为6%。此外，它的功率增益为9dB，动态电流为0.9A。该芯片的尺寸非常小巧，仅为4.6mm×3.0mm×0.05mm。 WFDN7501100-P30-2芯片可以应用于多种高频率、高功率需求的场合，包括但不限于仪器仪表、宽带通信等。芯片的工作电压为双电源，其中漏极电压Vds为15V，而栅极电压Vg为-2.0V。此外，芯片在工作时的直流功耗较大，可达30W，因此在设计应用电路时需要充分考虑散热问题。 为了确保芯片的可靠性和稳定性，在使用中必须遵守其绝对最大值的规定。例如，漏电压和栅电压的绝对最大值分别为22V和-5V，漏电流和栅电流的绝对最大值分别为2A和10mA。在芯片的存储和操作温度方面，存储温度范围是-65℃至150℃，而沟道工作温度可以达到200℃。超过这些极限值可能会导致芯片永久损坏。 从电特性参数来看，WFDN7501100-P30-2在15伏特漏极电压下的小信号增益为15dB，功率增益为9dB，输出功率可达到29dBm，在75至110GHz的频带内，这些参数均表现出色。功率附加效率（PAE）为6%，虽然看似不高，但在极高频段的功率放大器中，这仍属于可接受的范围。 芯片还提供了一系列的典型测试曲线，如小信号增益曲线、输出功率曲线和功率附加效率曲线等，这些曲线可以帮助设计者更直观地了解芯片在不同工作状态下的性能表现。芯片装配示意图和尺寸图则提供了有关芯片物理构造和装配方式的详细信息。 对于那些需要进一步了解或采购WFDN7501100-P30-2芯片的用户，官方联系方式提供了一条获取更详细信息的渠道。用户可以通过电话联系或访问相应的网址来获取更多产品信息和专业技术支持。 芯片的设计和制造单位为CETC-55单片电路事业部，这可能意味着该单位在微波功率放大器领域具有深厚的研发实力和丰富的生产经验。产品版本标记为V1.0，暗示了该芯片可能是某个产品线的首版或者是具有稳定性的成熟产品。 WFDN7501100-P30-2芯片以其在高频领域的卓越性能，为仪器仪表和宽带通信等应用提供了一种可行的解决方案。对于设计者而言，在将其应用于具体项目时，还需要充分注意芯片的操作条件限制以及散热要求，以确保长期稳定地运行。同时，由于芯片设计的精密性，对于存储和运输环境也有着特定的要求，设计者和采购者需要严格遵守相关规定，以免影响芯片性能或引起损坏。