DRAM vs SRAM

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）和 SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）都属于随机存取存储器（RAM），但它们在多个方面存在明显差异，下面从不同维度为你详细对比：

工作原理

DRAM

DRAM 使用电容来存储数据，电容充电表示逻辑 “1”，放电表示逻辑 “0”。然而，电容存在漏电问题，随着时间推移，电容中的电荷会逐渐泄漏，导致数据丢失。
为了保持数据的正确性，DRAM 需要定期进行刷新操作，通常每隔几毫秒就要刷新一次，以补充电容中的电荷。

SRAM

SRAM 基于触发器（Flip - Flop）电路来存储数据，触发器由多个晶体管组成，能够稳定地保持存储的数据状态。
只要保持通电，SRAM 中的数据就不会丢失，不需要像 DRAM 那样进行刷新操作。
性能表现

速度

SRAM：速度极快，由于其基于触发器的存储结构，数据的读写操作能够在极短的时间内完成，通常在几个纳秒（ns）级别。
DRAM：速度相对较慢，因为其需要进行刷新操作，且电容的充放电过程也需要一定时间，读写周期一般在几十纳秒到上百纳秒之间。

集成度

SRAM：集成度较低，触发器电路由多个晶体管组成，占用的芯片面积较大，相同面积的芯片上能够集成的存储单元数量相对较少。
DRAM：集成度高，电容和相关的控制电路结构相对简单，占用的芯片面积小，能够在相同面积的芯片上集成更多的存储单元。

功耗

SRAM：功耗相对较高，由于触发器电路中晶体管数量较多，且需要持续供电来维持数据状态，所以在工作过程中会消耗较多的电能。
DRAM：功耗相对较低，虽然需要定期刷新，但整体的功耗仍然比 SRAM 低。