FLASH存储空间利用优化

原创已于 2025-04-24 09:47:50 修改 · 247 阅读

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#单片机 #mcu

于 2025-04-23 11:44:24 首次发布

最近做的项目涉及到利用单片机FLASH保存参数，由于我使用的单片机的扇区较大（64K），且最小擦除单位就是扇区，所以每次擦除浪费了大量时间，为了避免产品在掉电过程中保存数据，导致保存时间不够，参数保存错误，因此对这部分逻辑做了优化

我将保存的扇区分成N个块，所以仅仅在这N个部分都写满的情况下才去进行flash擦除，在每次数据保存的开头存储了一个标志位，每次上电后，遍历每个块的开头来检测是否有标志位，直达检测到没有标志位的块，然后读取最后一个带有标志位的块，在进行数据校验，校验正确，程序正常跑。保存的数据还记录了下次保存的块，每次掉电之后直接保存数据到对应的块，而不需要重新擦除，这大大缩短了掉电所需要的保存时间，且大大提高了FLASH寿命

以下是代码示例

//上电查找上一次存储的数据
bool find_last_storaged(GLOBAL *gt)
{
	
	bool res = false;
	uint8_t i = 0;
	DISABLE_INT();
	for(i = 0; i < BLOCK_NUM; i++)
	{
		if(*((uint32_t *)(FLASH_USER_START + BLOCK_SIZE * i)) != GLOBAL_FLAG)
		{
			break;
		}
	}

	if(i == 0)
		res = false;
	else
		memcpy(gt, (void*)FLASH_USER_START + (BLOCK_SIZE *(i-1)), sizeof(GLOBAL));
	ENABLE_INT();
	return res;
}
//正常工作全局保存，至少保持最后一块空着，掉电保存用
void API_Save_GlobalSelections(GLOBAL *gt)
{
	gt->u32SaveCrc = 0;
	uint32_t target_block = gt->u32saveBlock;
	if((0 == target_block) || ((BLOCK_NUM - 1) == target_block)){
		bsp_flash_erase(FLASH_USER_START);
		gt->u32saveBlock = 1;
		gt->u32SaveCrc = API_GetCrc(gt, sizeof(GLOBAL));
		bsp_flash_write(gt, FLASH_USER_START, sizeof(GLOBAL));
	}else{
		if(target_block < BLOCK_NUM - 1)
		{
			gt->u32saveBlock = (gt->u32saveBlock + 1) % BLOCK_NUM;
			gt->u32SaveCrc = API_GetCrc(&g_tCtrl, sizeof(g_tCtrl));
			bsp_flash_write(gt, FLASH_USER_START + (target_block * BLOCK_SIZE),                 sizeof(GLOBAL));
		}
	}
}

//掉电保存
void API_powerdown_SaveGlobal(GLOBAL *gt)
{
    uint32_t target_block = gt->u32saveBlock;
	gt->u32SaveCrc = 0;
	gt->u32saveBlock = (gt->u32saveBlock + 1) % BLOCK_NUM;
	gt->u32SaveCrc = API_GetCrc(gt, sizeof(GLOBAL));
	bsp_flash_write(gt, FLASH_USER_START + (target_block * BLOCK_SIZE), sizeof(GLOBAL ));
}

注：在每次读取上电的数据后，如果检测到没有数据块可写了，那就进行预擦除，避免掉电之后再进行扇区擦除，浪费时间