台积电 2 纳米制程技术细节出炉：性能跃升 15%、功耗降低 30%，晶圆价格上涨

 12 月 17 日消息，在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 ( IEDM ) 上，全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的 2 纳米（ N2 ）制程技术的更多细节，展示了该技术在性能、功耗和晶体管密度方面的显著进步。
据悉，台积电在会上重点介绍了其 2 纳米“ 纳米片（ nanosheets ） ”技术。据介绍，相较于前代制程，N2 制程在性能上提升了 15%，功耗降低了高达 30%，能效显著提升。
此外，得益于环绕式栅极（ GAA ）纳米片晶体管和 N2 NanoFlex 技术的应用，晶体管密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元，进一步优化了制程的性能。