尽管纳米压印（NIL）和电子束曝光（EBL）等技术在某些特定应用中显示出潜力，但在当前的芯片大规模制造中，光刻技术依然是主流。尤其是在高精度、大规模生产方面，光刻机扮演着无可替代的角色。
全球光刻机市场几乎被三家公司垄断：荷兰的ASML占据了约85%的市场份额，而日本的尼康和佳能则分享了剩余的15%左右。这三家厂商的技术水平和生产能力在全球范围内处于领先地位。
在中国大陆，上海微电子是唯一的光刻机制造商。然而，其技术水平相对落后，公开报道的最先进产品仅能达到90nm工艺节点，主要用于后道封装测试（封测），而在前道晶圆制造中的应用较少。因此，上海微电子在全球市场的份额几乎可以忽略不计。
鉴于此，美国联合日本和荷兰对光刻机实施了严格的出口管制，特别是禁止向中国出售极紫外光刻机（EUV）和高端浸润式深紫外线光刻机（DUV）。这些措施旨在限制中国芯片制造产业的发展，确保西方国家在半导体领域的技术优势。
最近，美国进一步扩大了制裁范围，涉及140家企业、24种设备、3种软件以及HBM内存等关键技术和产品。这一轮制裁被认为是历史上规模最大的一次，对中国半导体行业构成了严峻挑战。

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面对如此局面，我们如何破局？显然，自主研发EUV光刻机是最直接也是最有效的解决方案。一旦掌握EUV光刻机技术，中国将能够自主生产5nm及以下工艺节点的芯片，从而打破外部依赖，使美国的禁令失去效力。
拥有EUV光刻机意味着我们可以独立制造最先进的芯片，不再受制于人。相反，如果无法突破这一技术瓶颈，我们将继续依赖进口设备，尤其是在5nm及以下工艺节点上，这将使我们在国际竞争中处于不利地位。
那么，我们何时才能实现这一目标？答案并不简单。近期，国内曝光了一款采用193nm波长光源的光刻机，分辨率可达65nm或更低，套刻精度达到8nm以内。虽然这台机器仍属于干式DUV光刻机范畴，但它是重要的一步。接下来，我们需要逐步推进到浸润式DUV光刻机，最终实现EUV光刻机的研发。这一过程可能需要跨越至少两代技术，难度可想而知。
尽管道路漫长且充满挑战，但我们别无选择，必须迎难而上。自主研发EUV光刻机不仅是技术上的突破，更是国家战略安全的重要保障。只有掌握了核心技术，中国半导体产业才能真正实现自主可控，迎接更加光明的未来。